$Ge$ અને $Si$ ડાયોડ અનુક્રમે $0.3\,V$ અને $0.7\,V$ પર વહન કરવાનું શરૂ કરે છે. નીચેની આકૃતિમાં,જો $Ge$ ડાયોડનું જોડાણ ઉલટાવવામાં આવે,તો $V_0$ ના મૂલ્યમાં કેટલો ફેરફાર થશે: ...... $V$ (ધારો કે $Ge$ ડાયોડ પાસે મોટો બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે).

આકૃતિમાં દર્શાવેલ પરિપથ માટે $V_{AB} = $ ....... $V$.

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
$A$. જ્યારે $p-n$ જંકશન ડાયોડ પરનો ફોરવર્ડ બાયસ વોલ્ટેજ અમુક થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ કરતા વધે છે, ત્યારે ડાયોડ પ્રવાહમાં નોંધપાત્ર વધારો થાય છે.
$B$. આ પ્રવાહને રિવર્સ સેચ્યુરેશન કરંટ કહેવામાં આવે છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

આકૃતિમાં ડાયોડના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ દર્શાવેલ છે. ફોરવર્ડ બાયસ અને રિવર્સ બાયસ અવરોધનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

જ્યારે $p-n$ જંકશનને રિવર્સ બાયસ આપવામાં આવે છે, ત્યારે તે . . . . . . .

$p-n$ જંકશન ડાયોડના ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ,જ્યારે તે $(i)$ ફોરવર્ડ બાયસ્ડ અને $(ii)$ રિવર્સ બાયસ્ડ હોય ત્યારે અનુક્રમે કેટલી થાય?