बताइए कि निम्नलिखित कथन सत्य हैं या असत्य:
$(i)$ आयनन एन्थैल्पी जितनी अधिक होगी,स्क्रीनिंग प्रभाव उतना ही कम होगा।
$(ii)$ $Be$ की आयनन एन्थैल्पी $B$ से अधिक है।
$(iii)$ आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर परिरक्षण प्रभाव (shielding effect) बढ़ता है।
$(iv)$ प्रथम आयनन ऊर्जा का बढ़ता क्रम $B < Be < O < N$ है।

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(A) $(i)$ सत्य। उच्च आयनन एन्थैल्पी का अर्थ है मजबूत नाभिकीय आकर्षण,जो आमतौर पर कम स्क्रीनिंग प्रभाव से जुड़ा होता है।
$(ii)$ सत्य। $Be$ $(1s^2 2s^2)$ में पूर्णतः भरी हुई $2s$ कक्षक होती है,जो $B$ के $2p^1$ विन्यास से अधिक स्थिर है।
$(iii)$ असत्य। आवर्त में बाएं से दाएं जाने पर परिरक्षण प्रभाव लगभग स्थिर रहता है क्योंकि इलेक्ट्रॉन एक ही कोश में जोड़े जाते हैं।
$(iv)$ सत्य। पूर्णतः भरी हुई और अर्ध-भरी हुई कक्षकों की स्थिरता के कारण $B < Be < O < N$ का क्रम सही है।

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$A.$ $Ga$ के विपरीत जिसका गलनांक बहुत अधिक होता है,$Cs$ का गलनांक बहुत कम होता है।
$B.$ पॉलिंग स्केल पर,$N$ और $Cl$ के विद्युत ऋणात्मकता मान समान नहीं हैं।
$C.$ $Ar$,$K^{+}$,$Cl^{-}$,$Ca^{2+}$,और $S^{2-}$ सभी आइसोइलेक्ट्रॉनिक प्रजातियाँ हैं।
$D.$ $Na$,$Mg$,$Al$,और $Si$ की प्रथम आयनन एन्थैल्पी का सही क्रम $Si > Al > Mg > Na$ है।
$E.$ $Cs$ की परमाणु त्रिज्या $Li$ और $Rb$ से अधिक है।
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