આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર પાસે ડાયઇલેક્ટ્રિકના બે સ્તરો છે. આ કેપેસિટરને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. ડાબી પ્લેટથી વિદ્યુતક્ષેત્ર $(E)$ અને અંતર $(x)$ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ $C$ છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. જો $\frac{2d}{3}$ જાડાઈની એક વાહક શીટ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_1$ થાય છે. $\frac{C_1}{C}$ નો ગુણોત્તર શોધો. ($:1$ માં)

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર,જે ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $K$ ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબથી આંશિક રીતે ભરેલું છે,તેને આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $V \text{ volt}$ emf ધરાવતા સેલ સાથે જોડવામાં આવ્યું છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $D$ છે. તો:

બે સમાન કેપેસિટર $M$ અને $N$ ને બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. $M$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે $8$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે અને $N$ ની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે ($d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે). તો $M$ અને $N$ ના બે છેડા વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે કયા ગુણોત્તરમાં હશે?

જો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_1$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની એક તૃતીયાંશ જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_2$ છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં,ડાયલેક્ટ્રિકને કેપેસિટરની પ્લેટોને સમાંતર મૂકવામાં આવે,તો $C_1: C_2=$

બે પ્લેટો વચ્ચે $0.4\ cm$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $2\ \mu F$ છે. જો તેમની વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તે જગ્યાને $2.8$ ડાઇલેક્ટ્રીક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્યથી ભરી દેવામાં આવે,તો કેપેસીટરનું અંતિમ કેપેસીટન્સ .....$\mu F$ થશે.