$d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \text{ pF}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને હવે બે ડાયલેક્ટ્રિક્સ વડે ભરવામાં આવે છે, પ્રથમનું $K_1=3$ અને જાડાઈ $d_1=d/3$ છે, જ્યારે બીજાનું $K_2=6$ અને જાડાઈ $d_2=2d/3$ છે. નવા કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું હશે ($\text{ pF}$ માં)?

એક કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $5 \mu F$ છે જ્યારે તેની સમાંતર પ્લેટો $d$ જાડાઈના હવાના માધ્યમ દ્વારા અલગ પડેલી હોય છે. $1.5$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા અને પ્લેટો જેટલું જ ક્ષેત્રફળ પરંતુ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતા પદાર્થનો એક સ્લેબ પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. સ્લેબની હાજરીમાં કેપેસિટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થશે.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું કેપેસિટન્સ $C = 14 \, pF$ છે,તેને બેટરી વડે તેની પ્લેટો વચ્ચે $V = 12 \, V$ ના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. હવે ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે અને $k = 7$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી પોર્સેલેઇન પ્લેટને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. તો આ પ્લેટ $.......... pJ$ ની અચળ યાંત્રિક ઉર્જા સાથે પ્લેટોની વચ્ચે આગળ-પાછળ દોલન કરશે. (ઘર્ષણ અવગણો)

એક કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને સંગ્રહિત ઉર્જા $U$ છે. હવે બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર મૂળ મૂલ્ય કરતા ચાર ગણું કરવામાં આવે છે. તો નવી સંગ્રહિત ઉર્જા કેટલી થશે?

એક હવાના કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_1$ છે. આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા બે ડાયલેક્ટ્રિક્સથી ભરવામાં આવે છે. કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ $C_2$ છે. ગુણોત્તર $\frac{C_1}{C_2}$ શોધો ($d=$ કેપેસિટરની બે પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર,$K_1$ અને $K_2$ એ અનુક્રમે બે ડાયલેક્ટ્રિક્સના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો છે).

$C$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $A$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી બે પ્લેટો વચ્ચે $d$ અંતર છે. પ્લેટો વચ્ચેનો વિસ્તાર $N$ ડાયલેક્ટ્રિક સ્તરોથી ભરેલો છે,જે પ્લેટોને સમાંતર છે,દરેકની જાડાઈ $\delta = \frac{d}{N}$ છે. $m^{\text{th}}$ સ્તરનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_m = K(1 + \frac{m}{N})$ છે. ખૂબ મોટા $N (> 10^3)$ માટે,કેપેસીટન્સ $C = \alpha \left( \frac{K \varepsilon_0 A}{d \ln 2} \right)$ છે. $\alpha$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે?
[$\varepsilon_0$ એ શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી છે]