एक p-n फोटोडायोड 2.0 text{ eV} के बैंड गैप वा | vedclass

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Question

(B) $p-n$ फोटोडायोड एक अर्धचालक उपकरण है जो प्रकाश पड़ने पर विद्युत धारा उत्पन्न करता है। अर्धचालक पदार्थ द्वारा फोटॉन को अवशोषित करने के लिए, उसकी ऊर

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$5 	imes 10^{14} 	ext{ Hz}$

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(B) $p-n$ फोटोडायोड एक अर्धचालक उपकरण है जो प्रकाश पड़ने पर विद्युत धारा उत्पन्न करता है। अर्धचालक पदार्थ द्वारा फोटॉन को अवशोषित करने के लिए, उसकी ऊर्जा $E$ का मान बैंड गैप ऊर्जा $E_g$ के बराबर या उससे अधिक होना चाहिए।दिया गया है, $E_g = 2.0 	ext{ eV}$।ऊर्जा और आवृत्ति के बीच संबंध $E = h
u$ है, जहाँ $h$ प्लांक नियतांक $(6.63 	imes 10^{-34} 	ext{ J} \cdot 	ext{s})$ है और $
u$ आवृत्ति है।बैंड गैप ऊर्जा को जूल में बदलने पर: $E_g = 2.0 	imes 1.6 	imes 10^{-19} 	ext{ J} = 3.2 	imes 10^{-19} 	ext{ J}$।$h
u = E_g$ रखने पर, हमें प्राप्त होता है $
u = \frac{E_g}{h} = \frac{3.2 	imes 10^{-19} 	ext{ J}}{6.63 	imes 10^{-34} 	ext{ J} \cdot 	ext{s}}$।गणना करने पर: $
u \approx 0.482 	imes 10^{15} 	ext{ Hz} = 4.82 	imes 10^{14} 	ext{ Hz}$।निकटतम विकल्प के अनुसार, $
u \approx 5 	imes 10^{14} 	ext{ Hz}$ प्राप्त होता है।

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