એક ઘન પદાર્થ આપાત પ્રકાશનું પરાવર્તન કરે છે અને તેની વિદ્યુત વાહકતા તાપમાન સાથે ઘટે છે. આ ઘન પદાર્થમાં બંધન કેવું છે?

કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમ દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન છે. આ પદાર્થોમાં વેલેન્સ બેન્ડ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચે રહેલા એનર્જી બેન્ડ ગેપ અનુક્રમે $(E_g)_C, (E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

નીચેનામાંથી કયા પદાર્થ માટે એનર્જી ગેપ $(E_g)$ $3 \ eV$ કરતા વધારે હોય છે?

જે ઘન પદાર્થ દ્રશ્ય પ્રકાશ માટે પારદર્શક હોય અને જેની વિદ્યુત વાહકતા તાપમાન સાથે વધતી હોય,તે પદાર્થ શેના દ્વારા રચાય છે?

$Ge$ માં ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.72\,eV$ છે. આપેલ છે કે $hc = 12400\,eV\cdot\mathring{A}$. ઇલેક્ટ્રોન-હોલ પેર ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઇ ..........$\mathring{A}$ છે.

ઇન્સ્યુલેટર્સ (અવાહકો) ના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,બેન્ડ ગેપ અને કન્ડક્શન બેન્ડ અનુક્રમે કેવા હોય છે?