एक ट्रांजिस्टर में अलग-अलग डोपिंग स्तर के $3$ अशुद्धि क्षेत्र होते हैं। डोपिंग स्तर के बढ़ते क्रम में,ये क्षेत्र हैं:

$n-p-n$ ट्रांजिस्टर में,$CE$ विन्यास में:

एक ट्रांजिस्टर का ट्रांसफर अभिलक्षणिक वक्र,जिसका इनपुट और आउटपुट प्रतिरोध क्रमशः $100\,\Omega$ और $100\,k\Omega$ है,चित्र में दिखाया गया है। वोल्टेज और पावर गेन क्रमशः क्या हैं?

एक कॉमन एमिटर ट्रांजिस्टर एम्पलीफायर में,कलेक्टर का प्रतिरोध $3 \ k\Omega$ है। यदि करंट एम्प्लीफिकेशन फैक्टर $100$ है और बेस प्रतिरोध $2 \ k\Omega$ है,तो ट्रांजिस्टर का पावर गेन क्या होगा?

एक $n-p-n$ ट्रांजिस्टर का $dc$ कॉमन एमिटर करंट गेन $50$ है। $CE$ कॉन्फ़िगरेशन में उपयोग किए गए ट्रांजिस्टर के कलेक्टर और एमिटर के बीच लागू विभवांतर $V_{CE} = 2 \ V$ है। यदि कलेक्टर प्रतिरोध $R_{C} = 4 \ k\Omega$ है,तो बेस करंट $(I_{B})$ और कलेक्टर करंट $(I_{C})$ क्या हैं?

एम्पलीफायर के रूप में ट्रांजिस्टर के अध्ययन में,यदि $\alpha = \frac{I_{C}}{I_{E}}$ और $\beta = \frac{I_{C}}{I_{B}}$ है,जहाँ $I_{C}$,$I_{B}$ और $I_{E}$ क्रमशः कलेक्टर,बेस और एमिटर धाराएँ हैं,तो: