$\sigma_1$ અને $\sigma_2$ એ અનુક્રમે $Ge$ અને $Na$ ની વિદ્યુત વાહકતા છે. જો આ પદાર્થોને ગરમ કરવામાં આવે,તો

કાર્બન, સિલિકોન અને જર્મેનિયમના પરમાણુઓમાં દરેક પાસે ચાર વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોન હોય છે. તેમના વેલેન્સ અને કન્ડક્શન બેન્ડ વચ્ચેના એનર્જી બેન્ડ ગેપને અનુક્રમે $(E_g)_C$, $(E_g)_{Si}$ અને $(E_g)_{Ge}$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે. તેમના કિસ્સામાં નીચેનામાંથી કયો સંબંધ સાચો છે?

અવાહકોના કિસ્સામાં,બેન્ડ ગેપ અને કન્ડક્શન બેન્ડ અનુક્રમે કેવા હોય છે?

$n$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરના બેન્ડ સ્ટ્રક્ચરમાં, અશુદ્ધિ પરમાણુઓ દ્વારા દાન કરવામાં આવેલા મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન કયા ઉર્જા સ્તરોમાં હોય છે?

કાર્બન,સિલિકોન અને જર્મેનિયમમાં દરેકના વેલેન્સ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $4$ છે. ઓરડાના તાપમાને નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

પરમ શૂન્ય તાપમાને ઇલેક્ટ્રોનની અપેક્ષિત ઉર્જાને શું કહેવામાં આવે છે?