$P$-प्रकार के अर्धचालक में,ग्राही (Acceptor) ऊर्जा स्तर $E_A$ कहाँ स्थित होते हैं?

एक $P$-प्रकार के अर्धचालक में एक्सेप्टर स्तर वैलेंस बैंड से $57 \; meV$ ऊपर है। एक होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \; J \cdot s$, प्रकाश की गति $c = 3 \times 10^8 \; m/s$)

जब जर्मेनियम को फास्फोरस के साथ डोप किया जाता है,तो डोप्ड सामग्री में होता है

एक शुद्ध $Si$ क्रिस्टल में $4 \times 10^{28}$ परमाणु प्रति $m^3$ हैं। इसे $1 \text{ ppm}$ एंटीमनी की सांद्रता के साथ डोप किया जाता है। उपलब्ध मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी

जर्मेनियम छड़ की लंबाई $0.928 \ cm$ है और इसके अनुप्रस्थ काट का क्षेत्रफल $1 \ mm^2$ है। यदि जर्मेनियम के लिए $n_i = 2.5 \times 10^{19} \ m^{-3}$,$\mu_h = 0.15 \ m^2 V^{-1} s^{-1}$,और $\mu_e = 0.35 \ m^2 V^{-1} s^{-1}$ है,तो प्रतिरोधकता क्या होगी?

एक आंतरिक (intrinsic) अर्धचालक में ऊर्जा अंतराल $E_{g}$,$1.2 \; eV$ है। इसकी होल गतिशीलता इलेक्ट्रॉन गतिशीलता से बहुत कम है और तापमान से स्वतंत्र है। $600 \; K$ और $300 \; K$ पर चालकता का अनुपात क्या है? मान लीजिए कि आंतरिक वाहक सांद्रता $n_{i}$ की तापमान निर्भरता $n_{i} = n_{0} \exp \left(-\frac{E_{g}}{2 k_{B} T}\right)$ द्वारा दी गई है,जहाँ $n_{0}$ एक स्थिरांक है।