निम्नलिखित में से किस अर्धचालक उपकरण को संचालित करने के लिए रिवर्स बायस की आवश्यकता होती है?

एक $LED$ को एक $pn$ जंक्शन से बनाया गया है जो एक निश्चित अर्धचालक पदार्थ पर आधारित है,जिसका ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.9 \ eV$ है। तो उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य क्या होगी?

एक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):

फोटो सेल एक ऐसा उपकरण है जिसका उपयोग किसके लिए किया जाता है?

बैंगनी (तरंगदैर्ध्य $= 4000 \, \mathring{A}$) $LED$ उत्पन्न करने के लिए आवश्यक अर्धचालक पदार्थ का ऊर्जा बैंड अंतराल $....... \, \text{eV}$ है। (निकटतम पूर्णांक में पूर्णांकित करें)।

निम्नलिखित कथनों $A$ और $B$ पर विचार करें और सही उत्तर की पहचान करें:
$A$. सौर सेल के लिए,$I-V$ अभिलक्षण दिए गए ग्राफ के $IV$ चतुर्थांश में स्थित होते हैं।
$B$. एक रिवर्स बायस्ड $pn$ जंक्शन डायोड में,$(\mu A)$ में मापा गया करंट बहुसंख्यक आवेश वाहकों (majority charge carriers) के कारण होता है।