N-प्रकार के Ge अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की ग | vedclass

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Question

(A) $N$-प्रकार के अर्धचालक की चालकता $\sigma$ का सूत्र $\sigma = e n_e \mu_e$ है,जहाँ $e$ इलेक्ट्रॉनिक आवेश है,$n_e$ इलेक्ट्रॉन सांद्रता है और $\mu_e$

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$6.25 	imes 10^{15} \ cm^{-3}$

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(A) $N$-प्रकार के अर्धचालक की चालकता $\sigma$ का सूत्र $\sigma = e n_e \mu_e$ है,जहाँ $e$ इलेक्ट्रॉनिक आवेश है,$n_e$ इलेक्ट्रॉन सांद्रता है और $\mu_e$ इलेक्ट्रॉन गतिशीलता है।दिया गया है: $\sigma = 5 \ mho/cm$,$\mu_e = 5000 \ cm^2/V \cdot s$,और $e = 1.6 	imes 10^{-19} \ C$.$n_e$ के लिए सूत्र को व्यवस्थित करने पर: $n_e = \frac{\sigma}{e \mu_e}$.मान रखने पर: $n_e = \frac{5}{1.6 	imes 10^{-19} 	imes 5000}$.$n_e = \frac{5}{8000 	imes 10^{-19}} = \frac{5}{8 	imes 10^{-16}} = 0.625 	imes 10^{16} = 6.25 	imes 10^{15} \ cm^{-3}$.चूंकि यह एक $N$-प्रकार का अर्धचालक है,इसलिए अशुद्धि परमाणुओं की सांद्रता इलेक्ट्रॉन सांद्रता $n_e$ के बराबर होगी।

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