$Ge$ ની ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.75 \ eV$ છે. $Ge$ અર્ધવાહકમાં ઈલેક્ટ્રોન-હોલ જોડકું ઉત્પન્ન કરવા માટે આપાત ફોટોન રેડિએશનની મહત્તમ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring{A}$ હોવી જોઈએ.

$X$ અને $Y$ બિંદુઓ વચ્ચે $5 \, V$ ની બેટરી જોડવામાં આવી છે. ધારો કે $D_{1}$ અને $D_{2}$ સામાન્ય સિલિકોન ડાયોડ છે. જો બેટરીનો ધન ટર્મિનલ $X$ બિંદુ સાથે જોડાયેલ હોય,તો બેટરી દ્વારા પૂરો પાડવામાં આવતો પ્રવાહ ($A$ માં) શોધો.

ડેપ્લેશન સ્તરની પહોળાઈ આશરે ....... હોય છે.

કોમન એમિટર ટ્રાન્ઝિસ્ટર કોન્ફિગ્યુરેશનમાં ઇનપુટ લાક્ષણિકતાઓના માપનમાં ઇનપુટ અવરોધના વ્યસ્ત $(1/r_i)$ ના ફેરફારને દર્શાવતો વાસ્તવિક આલેખ કયો છે?

આ પરિપથમાં બે વિરુદ્ધ દિશામાં જોડાયેલા આદર્શ ડાયોડ સમાંતરમાં છે. પરિપથમાં વહેતો વિદ્યુતપ્રવાહ કેટલો છે ($A$ માં)?

$p-n$ જંકશનના નિર્માણ દરમિયાન કઈ બે મહત્વની પ્રક્રિયાઓ થાય છે?