यदि एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों के संख्या घनत्व और होल्स के संख्या घनत्व का अनुपात $7/5$ है और उनकी धाराओं का अनुपात $7/4$ है,तो उनके अनुगमन वेग (drift velocity) का अनुपात क्या होगा?

दाता अशुद्धि (donor impurity) की संयोजकता क्या है? इन अशुद्धियों के नाम बताइए।

$P$-प्रकार के अर्धचालक में वैलेंस बैंड के ऊपर $57 \, meV$ पर एक्सेप्टर स्तर है। होल बनाने के लिए आवश्यक प्रकाश की अधिकतम तरंगदैर्ध्य क्या है? (प्लांक नियतांक $h = 6.6 \times 10^{-34} \, J-s$)

$p$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए दिए गए कथनों में से कौन सा सत्य है?

एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता समान $10^{16} \ m^{-3}$ है। गैलियम द्वारा डोपिंग करने पर $n_{h}$ बढ़कर $5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। तो,डोप्ड अर्धचालक में $n_{e}$ का मान क्या होगा?

$p-$ प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) में, निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?