જ્યારે $300 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે $600 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટો-ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બે ઉત્સર્જકોના કાર્ય વિધેય (work function) નો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$I$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા પ્રકાશની આવૃત્તિ પર આધાર રાખતી નથી.
$II$ અત્યંત તીવ્ર પ્રકાશ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર હંમેશા જોવા મળે છે.
$III$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા પ્રકાશની તીવ્રતા પર આધાર રાખતી નથી.
$IV$ વધુ આવૃત્તિ માટે બહાર નીકળતા ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વધારે હોય છે.

$6.2 \, eV$ ના અલ્ટ્રાવાયોલેટ વિકિરણો એલ્યુમિનિયમની સપાટી પર પડે છે (વર્ક ફંક્શન $4.2 \, eV$). ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા જૂલમાં આશરે કેટલી હશે?

$5\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન એક ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ $C$ પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઉર્જા $2\, eV$ છે. જ્યારે $6\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન $C$ પર આપાત થાય,ત્યારે જો એનોડ $A$ નું કેથોડ $C$ ની સાપેક્ષ સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ .............. $V$ હોય તો કોઈ પણ ફોટોઈલેક્ટ્રોન એનોડ $A$ સુધી પહોંચશે નહીં.

હાઇડ્રોજનની $H_\beta$ અને $H_{\infty}$ રેખાઓની આવૃત્તિ જેટલી આવૃત્તિ ધરાવતા ફોટોન એક પ્રકાશસંવેદી પ્લેટ પર આપાત થાય છે,જેની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ હાઇડ્રોજનની $H_\alpha$ રેખાની આવૃત્તિ જેટલી છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન ત્યારે જ થાય છે જ્યારે આપાત પ્રકાશ પાસે ચોક્કસ લઘુત્તમ કરતાં વધુ હોય