સિઝિયમની સપાટી પર $557 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પીળો પ્રકાશ આપાત થાય છે. જ્યારે કેથોડ-એનોડ વોલ્ટેજ $0.25 \ V$ થી ઘટી જાય ત્યારે પરિપથમાં કોઈ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન વહન પામતા નથી. તો સિઝિયમની સપાટી માટે થ્રેસોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલા $nm$ હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રયોગમાં,$I$ તીવ્રતા અને $f$ આવૃત્તિ ધરાવતા પ્રકાશ દ્વારા ધાતુઓ $X$ અને $Y$ માંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. ઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી સ્થિતિમાનનો તફાવત $V$ વિવિધ આવૃત્તિઓ માટે માપવામાં આવે છે. જો $Y$ નું કાર્ય વિધેય $X$ કરતા વધારે હોય,તો નીચેનામાંથી કયો આલેખ અપેક્ષિત પરિણામોને શ્રેષ્ઠ રીતે દર્શાવે છે?

જ્યારે ${\lambda _1}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_1 \ m/s$ છે. જો ${\lambda _2}$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન તે જ ધાતુ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત સૌથી ઝડપી ઈલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v_2 \ m/s$ છે. $v_2^2 - v_1^2$ નું મૂલ્ય કેટલું થશે?

ધાતુની સપાટી પરથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના પ્રયોગમાં,આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $2 \times 10^{-7} \,m$ છે અને સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $2.5 \,V$ છે. ધાતુની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ($Hz$ માં) આશરે કેટલી હશે? (ઈલેક્ટ્રોનનો વીજભાર $e=1.6 \times 10^{-19} \,C$,પ્લાન્કનો અચળાંક $h=6.6 \times 10^{-34} \,J-s$)

આઈન્સ્ટાઈનનું ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ ......... દ્વારા આપવામાં આવે છે.

આપાત વિકિરણની વિવિધ આવૃત્તિઓ $v_{1}, v_{2}$ અને $v_{3}$ માટે કલેક્ટર પોટેન્શિયલ સાથે ફોટો-કરંટમાં થતો ફેરફાર આલેખમાં દર્શાવ્યા મુજબ છે. તો: