જ્યારે પ્રકાશ સંવેદી સપાટી પર પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સપાટી પરથી ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થાય છે. આ ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખતી નથી?

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

એક ધાતુનું વર્કફંકશન $1 \ eV$ છે. જો આ ધાતુની સપાટી પર $3000 \ \mathring{A}$ તરંગલંબાઈવાળો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનો મહત્તમ વેગ ........ છે.

ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, અન્ય પરિબળોને અચળ રાખીને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વધારવામાં આવે છે $(f > f_0)$. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

ધાતુની સપાટી પર $6 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત થાય છે. ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2 \ eV$ છે. ઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી ન્યૂનતમ રિવર્સ સ્થિતિમાન (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) ........ $V$ છે.

જ્યારે કોઈ ધાતુ પર $\lambda$ $(\lambda < \lambda_0)$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત તમામ ફોટોઈલેક્ટ્રોન $B_0$ ફ્લક્સ ઘનતા ધરાવતા ચુંબકીય ક્ષેત્ર દ્વારા $r$ ત્રિજ્યાના વર્તુળમાં વળે છે. $\frac{1}{\lambda_0}$ શોધો,જ્યાં $\lambda_0$ એ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ છે.