दी गई आकृति में,$V$ निरोधी विभव (stopping potential) को दर्शाता है। यदि $\lambda_1$ और $\lambda_2$ आपतित प्रकाश की तरंगदैर्घ्य हैं और $|V_2| > |V_1|$ है,तो:

प्रकाश-विद्युत प्रभाव (photoelectric effect) के एक प्रयोग में प्रकाश के एक बिंदु स्रोत का उपयोग किया जाता है। यदि स्रोत और प्रकाश-विद्युत सतह के बीच की दूरी को दोगुना कर दिया जाए, तो निम्नलिखित में से क्या परिणाम हो सकता है?

एक प्रकाश-विद्युत प्रयोग में,यदि आपतित प्रकाश की तीव्रता को दोगुना कर दिया जाए और आवृत्ति को देहली आवृत्ति से थोड़ा अधिक रखा जाए,तो संतृप्त प्रकाश-विद्युत धारा

$400\,nm$ तरंगदैर्ध्य का एकवर्णी प्रकाश पुंज एक प्रकाश-संवेदी सतह पर लंबवत आपतित होता है ($25\%$ परावर्तित होता है और शेष अवशोषित हो जाता है)। यह सतह पर $5 \times 10^{-7}\,N/m^2$ का विकिरण दाब उत्पन्न करता है। यदि आपतित फोटॉनों का $0.1\%$ फोटोइलेक्ट्रॉन उत्पन्न करता है,तो संबंधित संतृप्ति धारा $\dots \mu A$ होगी। (प्रकाश-संवेदी सतह का क्षेत्रफल $= 5\,cm^2$ मानिए)

एक प्रकाश-विद्युत सेल को $1 \ m$ की दूरी पर रखे प्रकाश के बिंदु स्रोत द्वारा प्रकाशित किया जाता है। यदि स्रोत को $2 \ m$ की दूरी पर ले जाया जाए,तो:

प्रकाश-विद्युत प्रभाव के एक प्रयोग में,देहली आवृत्ति (threshold frequency) की $1.5$ गुनी आवृत्ति वाला प्रकाश एक प्रकाश-संवेदी सतह पर आपतित किया जाता है। यदि आवृत्ति को आधा कर दिया जाए और तीव्रता को दोगुना कर दिया जाए,तो उत्सर्जित प्रकाश-इलेक्ट्रॉनों की संख्या होगी: