ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર માટે સ્ટૉપિંગ પોટૅન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(f)$ નો આલેખ .......... હોય છે.

$1 \; eV$ અને $2.5 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન વિકિરણો ક્રમશઃ $0.5 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

આકૃતિ ફોટોકરંટ $I$ વિરુદ્ધ લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $(V)$ નો આલેખ દર્શાવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના પ્રયોગમાં,જ્યારે $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે છે,ત્યારે આપેલ ધાતુ માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ વોલ્ટ છે. જો તે જ ધાતુ સાથે $2\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ (વોલ્ટમાં) કેટલું હશે? [આપેલ છે: $c = \text{પ્રકાશનો વેગ}$,$e = \text{ઈલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર}$,$h = \text{પ્લાન્કનો અચળાંક}$]

એક ધાતુની સપાટી પર $400 \ nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $1.68 \ eV$ માલૂમ પડે છે. તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય ............ $eV$ છે $(hc = 1240 \ eV \ nm)$.

એક ચોક્કસ ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ $3.3 \times 10^{14} \;Hz$ છે. જો $8.2 \times 10^{14} \;Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ ($eV$ માં) શોધો.