જ્યારે ધાતુની પ્લેટને $400 \ nm$ અને $250 \ nm$ ની તરંગલંબાઈ વાળા પ્રકાશથી પ્રકાશિત કરવામાં આવે ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ અનુક્રમે $v$ અને $2v$ છે. તો ધાતુનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે? ($h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક; $c$ = શૂન્યાવકાશમાં પ્રકાશનો વેગ)

એક ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જનના કિસ્સામાં, કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળા વિકિરણને ધાતુની પ્લેટ પર આપાત કરવામાં આવે, તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ સંભવિત વેગ કેટલો હશે? ($m$ = ઇલેક્ટ્રોનનું દળ, $h$ = પ્લાન્કનો અચળાંક)

ફોટોઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ:

જ્યારે $8 \times 10^{14} \ Hz$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો ઈલેક્ટ્રોન $7 \times 10^5 \ m/s$ ની મહત્તમ ઝડપ સાથે ઉત્સર્જિત થાય છે. આ સપાટી માટે થ્રેસોલ્ડ આવૃત્તિ .......... છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના અવલોકનોના સંદર્ભમાં,નીચે આપેલા વિધાનોમાંથી સાચા વિધાનો ઓળખો:
$A.$ ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો વર્ગ આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ સાથે રેખીય રીતે બદલાય છે.
$B.$ પ્રકાશના સ્ત્રોતને ધાતુની સપાટીથી દૂર લઈ જવાથી સેચ્યુરેશન પ્રવાહનું મૂલ્ય વધે છે.
$C.$ $LED$ (લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ) પ્રકાશ સ્ત્રોતની પાવર ઘટાડવાથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઘટે છે.
$D.$ ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ત્વરિત ઉત્સર્જન પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના કણ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
$E.$ થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈનું અસ્તિત્વ પ્રકાશ/વિદ્યુતચુંબકીય તરંગોના તરંગ સ્વરૂપ દ્વારા સમજાવી શકાતું નથી.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં, જો આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(v)$ વધારવામાં આવે અને અન્ય તમામ પરિબળો અચળ રાખવામાં આવે, તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ પર શું અસર થશે? (જ્યાં $v > v_0$ અને $v_0$ એ થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ છે)