આઈનસ્ટાઈનના ફોટો ઈલેક્ટ્રીક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટો ઈલેક્ટ્રોનની ગતિ ઊર્જા અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

$1.07 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $332 \ nm$ તરંગલંબાઈવાળું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ધાતુની સપાટીમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રૉનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટે જરૂરી સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ ............ $V$ છે. $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ Js, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$

$10 eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન $2 \times 10^{15} Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે ($eV$ માં)? [પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34} Js$]

જ્યારે ધાતુની સપાટી પર વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ આપાત થાય ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ....... પર આધાર રાખે છે.

$310 \ nm$,$455 \ nm$ અને $620 \ nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ બે માધ્યમોને અલગ કરતી સપાટી પર $45^o$ ના ખૂણે આપાત થાય છે. $455 \ nm$ ના પ્રકાશ માટે વક્રીભવનાંક $\sqrt{2}$ છે. જો $1.2 \ eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની પ્લેટને આ માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટમાંથી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી હશે?

જ્યારે $300 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જક પર પડે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન મુક્ત થાય છે. બીજા ઉત્સર્જક માટે,$600 \; nm$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે પૂરતો છે. બંને ઉત્સર્જકોના વર્ક ફંક્શનનો ગુણોત્તર શું છે?