જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ અનુક્રમે $2500 \ \mathring A$ અને $5000 \ \mathring A$ હોય અને ધાતુની સપાટીનું કાર્ય વિધેય $2 \ eV$ હોય,તો ઉત્સર્જાતા ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનો અંદાજીત ગુણોત્તર શોધો. ($:1$ માં)

જો $\lambda_1$ તરંગલંબાઈનો પ્રકાશ કોઈ ધાતુ પર આપાત કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E_1$ છે. જો પ્રકાશની તરંગલંબાઈ બદલાઈને $\lambda_2$ થાય,તો ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા $E_2$ થાય છે. તો ધાતુનું કાર્યવિધેય (work function) કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,જ્યારે $h \nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી (વર્ક ફંક્શન $h \nu_0$) પર પડે છે,ત્યારે ધાતુની સપાટીમાંથી ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આના વિશે શું કહી શકાય?

$4 \times 10^{14} \,Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2.14 \,eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે। ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા કેટલી હશે ($\,eV$ માં)? $\left[h=6.63 \times 10^{-34} \,J-s\right]$

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આનું કારણ એ છે કે...