એક ફોટોસેલ $100 \ W$ ના મરક્યુરી સ્ત્રોત દ્વારા પ્રકાશિત થાય છે. તે $2271 \ \mathring A$ તરંગલંબાઇનો પારજાંબલી પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે. જો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.3 \ V$ હોય,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય $eV$ માં શોધો.

એલ્યુમિનિયમની સપાટી પરથી ઇલેક્ટ્રોનને દૂર કરવા માટે જરૂરી ઉર્જા $4.2 \text{ eV}$ છે. જો $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય,તો સપાટી પરથી ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ કેટલો હશે?

શરૂઆતમાં $\lambda_1$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો ફોટોન ફોટોકેથોડ પર આપાત થાય છે અને $E_1$ મહત્તમ ઉર્જા ધરાવતો ઇલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત કરે છે. જો આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ બદલીને $\lambda_2$ કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઉર્જા $E_2$ થાય છે. તો $hc$ ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ) નું મૂલ્ય શું હશે?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં,ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે,ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ ધાતુ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આનું કારણ એ છે કે...

$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)