જર્મેનિયમમાં એલ્યુમિનિયમની સાંદ્રતા $\sim 10^{21} \text{ atoms}/m^3$ છે. શુદ્ધ અર્ધવાહકમાં આંતરિક વાહક સાંદ્રતા $\sim 10^{19} /m^3$ છે. અશુદ્ધિ ઉમેર્યા પછી,ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા કેટલી હશે?

જ્યારે આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે સેમિકન્ડક્ટરની વાહકતા

એનર્જી બેન્ડ થીયરીના આધારે $n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો સમજાવો.

જ્યારે અર્ધવાહકમાં અશુદ્ધિના પરમાણુઓની થોડી માત્રા ઉમેરવામાં આવે છે, ત્યારે સામાન્ય રીતે તેની અવરોધકતા:

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની ઘનતા $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. એલ્યુમિનિયમ સાથે ડોપિંગ કરવા પર,હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. હવે,ડોપ્ડ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી હશે?

જો હોલ અને ઈલેક્ટ્રોનની સંખ્યાને અનુક્રમે $n_h$ અને $n_e$ વડે દર્શાવવામાં આવે,તો અંતર્ગત (intrinsic) અર્ધવાહક માટે નીચેનામાંથી શું સાચું છે?