$2.8 \; eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक (semiconductor) से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। क्या यह $6000 \; nm$ की तरंगदैर्ध्य का पता लगा सकता है?

(NO) दिए गए फोटोडायोड का ऊर्जा बैंड गैप $E_g = 2.8 \; eV$ है।
आपतित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य $\lambda = 6000 \; nm = 6000 \times 10^{-9} \; m$ है।
एक फोटॉन की ऊर्जा $E = \frac{hc}{\lambda}$ संबंध द्वारा दी जाती है।
$h = 6.626 \times 10^{-34} \; Js$ और $c = 3 \times 10^8 \; m/s$ का उपयोग करने पर:
$E = \frac{6.626 \times 10^{-34} \times 3 \times 10^8}{6000 \times 10^{-9}} \; J = 3.313 \times 10^{-20} \; J$.
इस ऊर्जा को इलेक्ट्रॉन-वोल्ट $(eV)$ में बदलने पर:
$E = \frac{3.313 \times 10^{-20}}{1.6 \times 10^{-19}} \; eV \approx 0.207 \; eV$.
चूंकि आपतित फोटॉन की ऊर्जा $(0.207 \; eV)$ फोटोडायोड के बैंड गैप $(2.8 \; eV)$ से कम है,इसलिए फोटोडायोड $6000 \; nm$ तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता नहीं लगा सकता है।