एक $p-n$ फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी होगी?

तीन फोटोडायोड $D_1, D_2,$ और $D_3$ ऐसे अर्धचालकों से बने हैं जिनके बैंड गैप क्रमशः $2.5 \ eV, 2 \ eV,$ और $3 \ eV$ हैं। इनमें से कौन से $6000 \ \mathring{A}$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश का पता लगाने में सक्षम होंगे?

एक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):

फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी है?

एक $PN$ जंक्शन फोटोसेल में,एकवर्णी प्रकाश द्वारा उत्पन्न फोटो-विद्युत वाहक बल (photo-electromotive force) का मान किसके समानुपाती होता है?

एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ में $2\,V$ का वोल्टेज ड्रॉप होता है और जब यह $6\,V$ की बैटरी के साथ एक लिमिटिंग रेजिस्टर $R$ के माध्यम से संचालित होता है,तो इसमें से $10\,mA$ की धारा प्रवाहित होती है। $R$ का मान ......... $k\,\Omega$ है।