$400\,nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.55\,mW$ પાવર ધરાવતા પ્રકાશના કિરણપુંજને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $10\%$ ફોટોન અસરકારક રીતે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો આ ઈલેક્ટ્રોનને કારણે મળતો પ્રવાહ $\mu A$ માં શોધો. (આપેલ છે: $hc = 1240\,eV\cdot nm$,$e = 1.6 \times 10^{-19}\,C$)

એક ચોક્કસ પ્રયોગમાં ફોટોઈલેક્ટ્રિક કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $1.5 \text{ V}$ છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા . . . . . . હશે.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \times 10^{-19} \, J$ છે. જ્યારે ધાતુની સપાટી પર $6400 \, \mathring{A}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી હશે? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.4 \times 10^{-34} \, Js$)

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I$: ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ પ્રકાશના સ્ત્રોતની પાવર પર આધાર રાખતું નથી.
વિધાન $II$: આપેલ ધાતુ માટે,ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ પર આધાર રાખે છે.
ઉપરના વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

જ્યારે પ્રકાશનો બિંદુવત સ્ત્રોત ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલથી $50 \, cm$ ના અંતરે હોય,ત્યારે કટ-ઓફ વોલ્ટેજ $V_0$ મળે છે. જો તે જ સ્ત્રોતને સેલથી $1 \, m$ ના અંતરે મૂકવામાં આવે,તો કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલો હશે?

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશનો કિરણપુંજ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર પડે છે, જે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ માં રાખેલ છે. સૌથી વધુ ઊર્જા ધરાવતા ઇલેક્ટ્રોન, જે ક્ષેત્રને લંબ રૂપે ગતિ કરે છે, તે $R$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર ચાપમાં વળે છે. જો આ પ્રયોગ $\lambda$ ના વિવિધ મૂલ્યો માટે કરવામાં આવે, તો $B^2$ વિરુદ્ધ $\frac{1}{\lambda}$ નો આલેખ કેવો દેખાશે (અન્ય તમામ રાશિઓ અચળ રાખતા)?