$R$ त्रिज्या वाले एक खोखले चालक गोले की सतह पर $(+Q)$ आवेश है। गोले के केंद्र से $r = \frac{R}{3}$ की दूरी पर गोले के भीतर विद्युत विभव क्या है?

  • A
    शून्य
  • B
    $\frac{1}{4\pi \varepsilon_0} \frac{Q}{r}$
  • C
    $\frac{1}{4\pi \varepsilon_0} \frac{Q}{R}$
  • D
    $\frac{1}{4\pi \varepsilon_0} \frac{Q}{r^2}$

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$r$ त्रिज्या का एक छोटा चालक गोला $R$ त्रिज्या के एक बड़े खोखले चालक गोले के अंदर संकेंद्रित रूप से स्थित है। बड़े और छोटे गोलों पर क्रमशः $Q$ और $q$ आवेश हैं $(Q > q)$ और वे एक-दूसरे से विद्युतरोधी हैं। गोलों के बीच विभवांतर क्या होगा?

यदि $2 \, C$ के विद्युत आवेश को $-10 \, V$ विभव वाले बिंदु से $V \, V$ विभव वाले दूसरे बिंदु तक ले जाने के लिए $50 \, J$ कार्य करना पड़ता है,तो $V$ का मान ......... $V$ है।

एक चालक गोले के भीतर विद्युत विभव:

$R$ त्रिज्या का एक गोला लें जिसमें समान आवेश घनत्व और कुल आवेश $Q$ है। गोले के अंदर इलेक्ट्रोस्टैटिक विभव वितरण $V(r) = \frac{Q}{4 \pi \varepsilon_{0} R} \left( a + b(r/R)^c \right)$ द्वारा दिया गया है। ध्यान दें कि अनंत पर विभव शून्य है। $(a, b, c)$ के मान हैं:

एक कण का द्रव्यमान इलेक्ट्रॉन के द्रव्यमान का $400$ गुना है और आवेश इलेक्ट्रॉन के आवेश का दोगुना है। इसे $5 \ V$ के विभवांतर द्वारा त्वरित किया जाता है। यदि कण प्रारंभ में विरामावस्था में था,तो इसकी अंतिम गतिज ऊर्जा $eV$ में क्या होगी?

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