$6 \times 10^{14} \, Hz$ ની આવૃત્તિ ધરાવતો પ્રકાશ $2 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થાય છે. $[h = 6.63 \times 10^{-34} \, Js, 1 \, eV = 1.6 \times 10^{-19} \, J]$. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ............ $eV$ હશે. ($.49$ માં)

ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

$h\nu$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે $E_0$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ફોટોસેન્સિટિવ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે $k$ જેટલી મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો મહત્તમ ગતિજ ઉર્જા કેટલી થશે? ($h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક)

જ્યારે $v$ આવૃત્તિનો પ્રકાશ બે ધાતુની પ્લેટો $A$ અને $B$ પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો $A$ નું વર્ક ફંક્શન $B$ કરતા વધારે હોય,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ અને આપાત આવૃત્તિ $v$ વચ્ચે દોરવામાં આવેલા નીચેનામાંથી કયો આલેખ સાચો છે?

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $3.1 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.7 \ V$ છે. જ્યારે તે જ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $2.5 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ હોય ત્યારે સૌથી ઝડપી ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ $v$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ કેટલી હશે?