એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને અવરોધ દ્વારા બેટરી સાથે જોડીને ચાર્જ કરવામાં આવે છે. જો પરિપથમાં પ્રવાહ $I$ હોય,તો પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં:

$R$ ત્રિજ્યા અને $d$ અંતર ધરાવતા એક વર્તુળાકાર સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને અચળ પ્રવાહ $I_D$ દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. અક્ષથી $r$ અંતરે,જ્યાં $r > R$ હોય,ત્યારે પ્લેટોની વચ્ચે ચુંબકીય ક્ષેત્ર શોધો.

$R=6.0\; cm$ ત્રિજ્યા ધરાવતી વર્તુળાકાર પ્લેટોથી બનેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર (આકૃતિ) નું કેપેસિટન્સ $C=100\; pF$ છે. આ કેપેસિટરને $300 \;rad \;s ^{-1}$ ની કોણીય આવૃત્તિ ધરાવતા $230\; V$ ના ac સપ્લાય સાથે જોડવામાં આવે છે.
$(a)$ વહન પ્રવાહ (conduction current) નું rms મૂલ્ય કેટલું છે?
$(b)$ શું વહન પ્રવાહ એ સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) જેટલો છે?
$(c)$ પ્લેટોની વચ્ચે અક્ષથી $3.0\; cm$ અંતરે આવેલા બિંદુએ $B$ નું કંપવિસ્તાર નક્કી કરો.

$20 \; \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને એવા વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે જેનો પોટેન્શિયલ $3 \; V/s$ ના દરે બદલાય છે. કનેક્ટિંગ વાયરમાંથી વહેતો વહન પ્રવાહ (conduction current) અને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનો સ્થાનાંતર પ્રવાહ (displacement current) અનુક્રમે કેટલો હશે?

એક કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો કેપેસિટરની અંદરનું વિદ્યુતસ્થિતિમાન $10^{12} \ V \ s^{-1}$ ના દરે બદલાતું હોય,તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ ..... $A$ છે.

ધારો કે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અંદર વિદ્યુત ફ્લક્સ $7 \times 10^{14} \text{ V} \cdot \text{m/s}$ ના દરે બદલાય છે. જો પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $1 \text{ m}^2$ હોય,તો કેપેસિટરની અક્ષથી $r = 0.1 \text{ m}$ અંતરે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ ની ગણતરી કરો. (આપેલ છે: $\varepsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} \text{ F/m}$,$\mu_0 = 4\pi \times 10^{-7} \text{ T} \cdot \text{m/A}$)