આકૃતિમાં કોમન એમિટર કન્ફિગરેશનમાં $\beta=100$ કરંટ ગેઈન ધરાવતું $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર દર્શાવેલ છે. એમ્પ્લીફાયરનો આઉટપુટ વોલ્ટેજ $.....V$ હશે.

ટ્રાન્ઝિસ્ટરના કયા વિભાગમાં મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સની મોટી સંખ્યા ઉત્પન્ન કરવા માટે અશુદ્ધિનું પ્રમાણ (doping) સૌથી વધુ હોય છે?

$CE$ કોન્ફિગ્યુરેશનમાં $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરની ઇનપુટ અને આઉટપુટ લાક્ષણિકતાઓનો અભ્યાસ કરવા માટે આકૃતિ $(1)$ માં દર્શાવેલ સર્કિટ ગોઠવણીને ધ્યાનમાં લો। $R_B$ અને $R_C$ ના મૂલ્યો પસંદ કરો, જ્યાં ટ્રાન્ઝિસ્ટર માટે $V_{BE} = 0.7 \, V$ છે, જેથી ટ્રાન્ઝિસ્ટર આકૃતિ $(2)$ માં દર્શાવેલ લાક્ષણિકતા મુજબ બિંદુ $Q$ પર કાર્ય કરે। આપેલ છે કે ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઇનપુટ ઇમ્પિડન્સ ખૂબ નાનો છે અને $V_{CC} = V_{BB} = 16 \, V$ છે, તો યોગ્ય ધારણાઓ કરીને સર્કિટનો વોલ્ટેજ ગેઇન અને પાવર ગેઇન પણ શોધો।

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I:$ સામાન્ય ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,ત્રણેય વિભાગો એમિટર,બેઝ અને કલેક્ટર સમાન ડોપિંગ સ્તર ધરાવે છે.
વિધાન $II:$ ટ્રાન્ઝિસ્ટરમાં,કલેક્ટર સૌથી જાડો અને બેઝ સૌથી પાતળો વિભાગ છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો.

કોમન બેઝ ટ્રાન્ઝિસ્ટર સર્કિટમાં,કરંટ ગેઇન $0.98$ છે. જો એમિટર કરંટમાં $5.00 \,mA$ નો ફેરફાર કરવામાં આવે,તો કલેક્ટર કરંટમાં થતો ફેરફાર ......... $mA$ છે.

એક સિલિકોન ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઇનપુટ અવરોધ $100\,\Omega$ છે. બેઝ પ્રવાહમાં $40\,\mu A$ નો ફેરફાર કરવાથી કલેક્ટર પ્રવાહમાં $2\,mA$ નો ફેરફાર થાય છે. આ ટ્રાન્ઝિસ્ટરનો ઉપયોગ $4\,k\Omega$ ના લોડ અવરોધ સાથે કોમન એમિટર એમ્પ્લીફાયર તરીકે કરવામાં આવે છે. એમ્પ્લીફાયરનો વોલ્ટેજ ગેઇન કેટલો હશે?