$LED$ एक $p-n$ जंक्शन डायोड है जो

$GaAsP$ का उपयोग करके एक $p-n$ जंक्शन डायोड से $LED$ बनाया गया है। ऊर्जा अंतराल (energy gap) $1.9\; eV$ है। उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य (wavelength) किसके बराबर होगी?

एक ऐसी स्थिति पर विचार करें जिसमें एक विशिष्ट $P-N$ जंक्शन का रिवर्स बायस करंट तब बढ़ जाता है जब इसे $\lambda \le 621 \, nm$ तरंगदैर्ध्य के प्रकाश के संपर्क में लाया जाता है। इस प्रक्रिया के दौरान,होल-इलेक्ट्रॉन जोड़े के निर्माण के कारण वाहक सांद्रता में वृद्धि होती है। बैंड गैप का मान लगभग है ($eV$ में):

$LED$ के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा कथन गलत है?

$2.5 \, eV$ के बैंड गैप वाले अर्धचालक से एक $p-n$ फोटोडायोड बनाया गया है। यह किस तरंगदैर्ध्य के सिग्नल का पता लगा सकता है?

किस प्रकार के $p-n$ जंक्शन डायोड को संचालित होने के लिए फॉरवर्ड बायस की आवश्यकता नहीं होती है?