હવામાં રહેલા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $2 \ pF$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં ડાયઇલેક્ટ્રિક પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ વધીને $6 \ pF$ થાય છે. તો તે પદાર્થનો ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક કેટલો હશે?

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું જ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી અને $d/2$ જાડાઈની ધાતુની પ્લેટને કેપેસિટરની પ્લેટોને અડકે નહીં તે રીતે તેમની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. તો પરિણામી કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$2C$ અને $C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા બે કેપેસિટરને સમાંતર જોડીને $V$ પોટેન્શિયલ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. હવે બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે અને $C$ કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે. દરેક કેપેસિટર પરનો પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે?

હવામાં માધ્યમ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $3 \mu F$ છે. પ્લેટોની વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક માધ્યમ દાખલ કરવાથી,કેપેસિટન્સ $15 \mu F$ થાય છે. $SI$ એકમમાં માધ્યમની પરમિટિવિટી કેટલી હશે? [આપેલ છે: $\epsilon_{0} = 8.85 \times 10^{-12} \text{ SI units}$]

જો સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની અડધી જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_1$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની એક તૃતીયાંશ જગ્યા $4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમથી ભરવામાં આવે,તો કેપેસીટન્સ $C_2$ છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં,ડાયલેક્ટ્રિકને કેપેસિટરની પ્લેટોને સમાંતર મૂકવામાં આવે,તો $C_1: C_2=$

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું આડછેદનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે,તેની પ્લેટો વચ્ચે હવા રહેલી છે. હવે,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પરંતુ $t = d/2$ જાડાઈની એક અવાહક સ્લેબ,જેનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 4$ છે,તેને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. નવા કેપેસિટન્સ અને તેના મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?