એક ઇલેક્ટ્રોન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $\vec{V_1} = 2\,\hat{i}\,\text{m/s}$ ના વેગથી ગતિ કરે છે ત્યારે તેના પર લાગતું બળ $\vec{F_1} = -2\hat{j}\,\text{N}$ છે. જો તે જ બિંદુએ ઇલેક્ટ્રોન $\vec{V_2} = 2\,\hat{j}\,\text{m/s}$ ના વેગથી ગતિ કરે,તો તેના પર લાગતું બળ $\vec{F_2} = +2\,\hat{i}\,\text{N}$ છે. જો ઇલેક્ટ્રોન તે જ બિંદુએ $\vec{V_3} = 2\hat{k}\,\text{m/s}$ ના વેગથી ગતિ કરતો હોય,તો તેના પર લાગતું બળ કેટલું હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન અને એક પ્રોટોન સમાન ગતિઊર્જા સાથે સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં ક્ષેત્રને લંબ દિશામાં પ્રવેશ કરે છે. તેઓ અનુક્રમે $r_e$ અને $r_p$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર પથ પર ગતિ કરે છે. તો:

$M$ દળ અને $Q$ ધન વિદ્યુતભાર ધરાવતો એક કણ,$4\hat{i} \text{ m/s}$ ના અચળ વેગથી ગતિ કરતો,$x-y$ સમતલને લંબ સમાન સ્થિર ચુંબકીય ક્ષેત્રના વિસ્તારમાં પ્રવેશે છે. ચુંબકીય ક્ષેત્રનો વિસ્તાર $x = 0$ થી $x = L$ સુધી તમામ $y$ મૂલ્યો માટે વિસ્તરેલો છે. આ વિસ્તારમાંથી પસાર થયા પછી,$10 \text{ ms}$ બાદ કણ $2(\sqrt{3}\hat{i} + \hat{j}) \text{ m/s}$ ના વેગ સાથે બહાર આવે છે. સાચું/સાચા વિધાન(નો) કયું/કયા છે:
$(A)$ ચુંબકીય ક્ષેત્રની દિશા $-z$ દિશામાં છે.
$(B)$ ચુંબકીય ક્ષેત્રની દિશા $+z$ દિશામાં છે.
$(C)$ ચુંબકીય ક્ષેત્રનું મૂલ્ય $\frac{50\pi M}{3Q}$ એકમ છે.
$(D)$ ચુંબકીય ક્ષેત્રનું મૂલ્ય $\frac{100\pi M}{3Q}$ એકમ છે.

એક સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર ઇલેક્ટ્રોનની ગતિની દિશાને લંબ રૂપે કાર્ય કરે છે. પરિણામે,ઇલેક્ટ્રોન $2\, cm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગ પર ગતિ કરે છે. જો ઇલેક્ટ્રોનની ઝડપ બમણી કરવામાં આવે,તો વર્તુળાકાર માર્ગની ત્રિજ્યા .....$cm$ થશે.

ચુંબકીય ક્ષેત્રની હાજરીમાં એક વિદ્યુતભારિત કણ ચુંબકીય બળ અનુભવે છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ માં $v$ વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોન પર લાગતું બળ કેટલું છે? ($e$ એ ઇલેક્ટ્રોનનો વિદ્યુતભાર છે.)