વિધાન : અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેનું અપાકર્ષણ,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ અને બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ-બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ વચ્ચેના અપાકર્ષણ કરતા વધારે હોય છે.
કારણ : બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સરખામણીમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ દ્વારા રોકાયેલી જગ્યા વધારે હોય છે.
કારણ : બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મની સરખામણીમાં અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ દ્વારા રોકાયેલી જગ્યા વધારે હોય છે.
- Aજો વિધાન અને કારણ બંને સાચા હોય અને કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી હોય.
- Bજો વિધાન અને કારણ બંને સાચા હોય પરંતુ કારણ એ વિધાનની સાચી સમજૂતી ન હોય.
- Cજો વિધાન સાચું હોય પરંતુ કારણ ખોટું હોય.
- Dજો વિધાન અને કારણ બંને ખોટા હોય.
Explore More
Similar Questions
નીચેનામાંથી કયા અણુનો આકાર $T$-આકારનો છે?
નીચેનામાંથી કઈ સ્પીસીઝ અરેખીય (non-linear) છે?
Medium
View Solutionનીચેની સ્પીસીઝમાંથી મધ્યસ્થ પરમાણુ પરના અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મોની મહત્તમ સંખ્યા $........$ છે. $ClO_3^-$,$XeF_4$,$SF_4$ અને $I_3^-$
નીચેનામાંથી કોનો બંધકોણ સૌથી ઓછો છે?
Medium
View Solutionનીચેના વિધાનોનું અવલોકન કરો:
$i$. $\text{VSEPR}$ સિદ્ધાંત મુજબ,$ClF_3$ અને $SO_2$ ને અનુક્રમે $AB_3E_2$ અને $AB_2E$ પ્રકારના અણુઓ તરીકે દર્શાવવામાં આવે છે.
$ii$. $SF_4$ નો આકાર "સી-સો" (See-saw) છે.
$iii$. $HgCl_2$ અને $PbCl_2$ નો આકાર સમાન છે.
કયા વિધાનો સાચા નથી?
$i$. $\text{VSEPR}$ સિદ્ધાંત મુજબ,$ClF_3$ અને $SO_2$ ને અનુક્રમે $AB_3E_2$ અને $AB_2E$ પ્રકારના અણુઓ તરીકે દર્શાવવામાં આવે છે.
$ii$. $SF_4$ નો આકાર "સી-સો" (See-saw) છે.
$iii$. $HgCl_2$ અને $PbCl_2$ નો આકાર સમાન છે.
કયા વિધાનો સાચા નથી?
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo