વિધાન $(A)$: ફ્લોરિનની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી ક્લોરિન કરતા ઓછી ઋણ હોય છે.
કારણ $(R)$: ક્લોરિનમાં ફ્લોરિન કરતા ઇલેક્ટ્રોન-ઇલેક્ટ્રોન અપાકર્ષણ વધારે હોય છે.

  • A
    વિધાન $A$ અને $R$ બંને સાચા છે અને $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી છે.
  • B
    વિધાન $A$ અને $R$ બંને સાચા છે પરંતુ $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી નથી.
  • C
    $A$ સાચું છે પરંતુ $R$ ખોટું છે.
  • D
    $A$ ખોટું છે પરંતુ $R$ સાચું છે.

Explore More

Similar Questions

આવર્ત કોષ્ટકના સંબંધિત આવર્તોમાં હેલોજન તત્વોની ઇલેક્ટ્રોન પ્રાપ્તિ એન્થાલ્પી સૌથી વધુ ઋણ હોય છે. શા માટે?

નીચેના રૂપાંતરણો ધ્યાનમાં લો:
$(i) \, O_{(g)} + e^- \to O_{(g)}^{-}, \Delta H_1$
$(ii) \, F_{(g)} + e^- \to F_{(g)}^{-}, \Delta H_2$
$(iii) \, Cl_{(g)} + e^- \to Cl_{(g)}^{-}, \Delta H_3$
$(iv) \, O_{(g)}^{-} + e^- \to O_{(g)}^{2-}, \Delta H_4$
આપેલ માહિતી મુજબ,કયું વિધાન ખોટું છે?

Difficult
View Solution

નીચેનામાંથી કોની ઇલેક્ટ્રોન એફિનિટી $(EA)$ સૌથી વધુ છે?

ઓક્સિજન પરમાણુમાંથી ઓક્સાઇડ આયન $O^{2-}$ ના નિર્માણ માટે ઉષ્માક્ષેપક પ્રક્રિયાની જરૂર પડે છે,ત્યારબાદ નીચે દર્શાવ્યા મુજબ ઉષ્માશોષક તબક્કો આવે છે. વાયુ અવસ્થામાં $O^{2-}$ ના નિર્માણની પ્રક્રિયા પ્રતિકૂળ $(\Delta H^{\ominus} = +ve)$ છે,ભલે તેની પાસે નજીકના નિષ્ક્રિય વાયુ નિયોન જેવી સ્થાયી ઇલેક્ટ્રોન રચના હોય. આનું કારણ શું છે?
$O_{(g)} + e^{-} \longrightarrow O^{-}_{(g)} ; \Delta H^{\ominus} = -141 \ kJ \ mol^{-1}$
$O^{-}_{(g)} + e^{-} \longrightarrow O^{2-}_{(g)} ; \Delta H^{\ominus} = +760 \ kJ \ mol^{-1}$

હેલોજન માટે ઇલેક્ટ્રોન ગેઇન એન્થાલ્પી (ઇલેક્ટ્રોન બંધુતા) નો સાચો ક્રમ કયો છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo