ડાયોડ સિલિકોનના છે અને તેમનો ફોરવર્ડ અવરોધ શૂન્ય છે તેમ ધારીને, નીચેના પરિપથમાં પ્રવાહ $I$ .......$mA$ છે.

p-n જંકશન પર $0.4 \,V$ નો પોટેન્શિયલ બેરિયર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. એક ઇલેક્ટ્રોન $n$-બાજુથી $6.0 \times 10^{5} \,ms^{-1}$ ની ઝડપે જંકશનમાં પ્રવેશે છે. જે ઝડપ સાથે ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુમાં પ્રવેશશે તે $\frac{x}{3} \times 10^{5} \,ms^{-1}$ છે. $x$ નું મૂલ્ય ............. છે.
(આપેલ છે: ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \,kg$,ઇલેક્ટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \,C$.)

નીચેના વાક્યોમાં કયું વિધાન ખોટું છે? જે ઉપકરણમાં $P$ અને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરનો ઉપયોગ થાય છે તે વેક્યૂમ ટ્યુબ કરતાં વધુ ઉપયોગી છે કારણ કે:

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

જ્યારે ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસમાં હોય,ત્યારે તેનો વોલ્ટેજ ડ્રોપ $0.5\, V$ હોય છે. ડાયોડમાંથી પસાર થતા પ્રવાહની સુરક્ષિત મર્યાદા $10\, mA$ છે. જો સર્કિટમાં $1.5\, V$ emf ધરાવતી બેટરીનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો ડાયોડ સાથે શ્રેણીમાં જોડવા માટેના લઘુત્તમ અવરોધનું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ જેથી પ્રવાહ સુરક્ષિત મર્યાદાથી વધે નહીં? $.....\, \Omega$.

નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવેલ આદર્શ $PN-$ જંકશન ડાયોડમાંથી પસાર થતો પ્રવાહ કેટલો હશે? ($mA$ માં)