p-n जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर | vedclass

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Question

(C) $p-n$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव $(V_B)$ अर्धचालक पदार्थ के आंतरिक गुणों और उन स्थितियों द्वारा निर्धारित होता है जिनमें यह कार्य करता है।$1$. अप

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डायोड की बनावट (diode design)

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(C) $p-n$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव $(V_B)$ अर्धचालक पदार्थ के आंतरिक गुणों और उन स्थितियों द्वारा निर्धारित होता है जिनमें यह कार्य करता है।$1$. अपमिश्रण घनत्व: अपमिश्रण सांद्रता बढ़ने के साथ बैरियर विभव बढ़ता है।$2$. तापमान: तापमान बढ़ने पर बैरियर विभव घटता है।$3$. अग्र अभिनति: अग्र अभिनति लागू करने से प्रभावी बैरियर विभव कम हो जाता है,जिससे धारा प्रवाहित हो सकती है।$4$. डायोड की बनावट: बैरियर विभव $p-n$ जंक्शन का एक आंतरिक गुण है और यह डायोड की भौतिक बनावट या ज्यामिति पर निर्भर नहीं करता है।अतः,सही विकल्प $C$ है।

$p-n$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

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