$A$ ક્ષેત્રફળ અને $0.025 \mu F$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે,$A$ ક્ષેત્રફળ અને પ્લેટો વચ્ચેના અંતરના $1/3$ જેટલી જાડાઈ ધરાવતી ધાતુની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરને $100 \ V$ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે,તો ધાતુની પ્લેટને કેપેસિટરમાંથી દૂર કરવા માટે કરવામાં આવેલ કાર્ય કેટલું હશે ($\mu J$ માં)?

બે સમાન સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવ્યા છે. જો એક કેપેસિટરને $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પ્રવાહીમાં મૂકવામાં આવે,તો બીજા કેપેસિટરનો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત કેટલો થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર જેનું આડછેદનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે,તેની પ્લેટો વચ્ચે હવા રહેલી છે. હવે,આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ સમાન ક્ષેત્રફળ ધરાવતી પરંતુ $t = d/2$ જાડાઈની એક અવાહક સ્લેબ,જેનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક $K = 4$ છે,તેને પ્લેટોની વચ્ચે મૂકવામાં આવે છે. નવા કેપેસિટન્સ અને તેના મૂળ કેપેસિટન્સનો ગુણોત્તર કેટલો થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $5\,\mu F$ છે. જ્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે કાચની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તેનો પોટેન્શિયલ મૂળ મૂલ્યના $1/8$ ગણો થઈ જાય છે. ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું મૂલ્ય કેટલું હશે?

બે સમાન કેપેસિટર $M$ અને $N$ ને બેટરી સાથે શ્રેણીમાં જોડવામાં આવે છે. $M$ ની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા સંપૂર્ણપણે $8$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાયઇલેક્ટ્રિક માધ્યમથી ભરવામાં આવે છે અને $N$ ની પ્લેટો વચ્ચે $d/2$ જાડાઈની તાંબાની પ્લેટ મૂકવામાં આવે છે ($d$ એ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર છે). તો $M$ અને $N$ ના બે છેડા વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત અનુક્રમે કયા ગુણોત્તરમાં હશે?

$C_1$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ એર-ફિલ્ડ કેપેસીટરનું પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. જ્યારે $\frac{d}{2}$ જાડાઈની અને સમાન ક્ષેત્રફળ $A$ ધરાવતી ધાતુની શીટ પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $C_2$ થાય છે. ગુણોત્તર $C_2 : C_1$ કેટલો હશે?