એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)

વિધાન $-I$: ફોટોડાયોડ રિવર્સ બાયસમાં કાર્ય કરે છે.
વિધાન $-II$: માઇનોરિટી કેરિયર્સ દ્વારા પ્રભુત્વ ધરાવતા રિવર્સ બાયસ કરંટ પર ફોટો-ઇફેક્ટને કારણે થતો આંશિક ફેરફાર,ફોરવર્ડ બાયસ કરંટમાં થતા આંશિક ફેરફાર કરતા વધુ સરળતાથી માપી શકાય છે.

નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો $:$
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?

ઓપ્ટિકલ સિગ્નલને શોધી શકતું ઉપકરણ કયું છે?

જો $LED$ બનાવવા માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો એનર્જી ગેપ આશરે $1.9 \ eV$ હોય, તો $LED$ દ્વારા ઉત્સર્જિત પ્રકાશનો રંગ કયો હશે?

વિધાન $(A)$: $Si$ અને $GaAs$ એ સોલર સેલ માટે પસંદગીના પદાર્થો છે.
કારણ $(R)$: આ બંને પદાર્થોના એનર્જી બેન્ડ ગેપ સૌર વર્ણપટમાં મહત્તમ સૌર વિકિરણને અનુરૂપ ઉર્જા સ્તર કરતા ઘણા નીચે છે.