उच्च स्पिन d^4 अष्टफलकीय संकुल के लिए क्रिस्ट | vedclass

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Question

(D) एक अष्टफलकीय संकुल में,$d$-कक्षक $t_{2g}$ (कम ऊर्जा) और $e_g$ (उच्च ऊर्जा) सेट में विभाजित हो जाते हैं।उच्च स्पिन $d^4$ विन्यास के लिए,इलेक्ट्रॉन

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$- 0.6 \Delta_o$

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(D) एक अष्टफलकीय संकुल में,$d$-कक्षक $t_{2g}$ (कम ऊर्जा) और $e_g$ (उच्च ऊर्जा) सेट में विभाजित हो जाते हैं।उच्च स्पिन $d^4$ विन्यास के लिए,इलेक्ट्रॉन हुंड के नियम के अनुसार भरे जाते हैं क्योंकि क्रिस्टल क्षेत्र विपाटन ऊर्जा $\Delta_o$ युग्मन ऊर्जा $P$ से कम होती है।इलेक्ट्रॉनिक विन्यास $t_{2g}^3 e_g^1$ है।क्रिस्टल क्षेत्र स्थिरीकरण ऊर्जा $(CFSE)$ की गणना इस प्रकार है:$CFSE = (n_{t_{2g}} 	imes -0.4 \Delta_o) + (n_{e_g} 	imes 0.6 \Delta_o)$$CFSE = (3 	imes -0.4 \Delta_o) + (1 	imes 0.6 \Delta_o)$$CFSE = -1.2 \Delta_o + 0.6 \Delta_o = -0.6 \Delta_o$.

List-$I$ (संकुल)	List-$II$ (धातु/आयन का इलेक्ट्रॉनिक विन्यास)
$A. [Co(NH_3)_6]^{3+}$	$I. t_{2g}^5 e_g^0$
$B. [CoF_6]^{3-}$	$II. t_{2g}^6 e_g^0$
$C. [Ni(CO)_4]$	$III. t_{2g}^4 e_g^2$
$D. [Fe(CN)_6]^{3-}$	$IV. t^4 e^6$

उच्च स्पिन $d^4$ अष्टफलकीय संकुल के लिए क्रिस्टल क्षेत्र स्थिरीकरण ऊर्जा $(CFSE)$ है

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