સેમિકન્ડક્ટરનું ડોપિંગ (નાના અશુદ્ધિ પરમાણુઓ સાથે) સામાન્ય રીતે અવરોધકતામાં નીચે મુજબ ફેરફાર કરે છે.

એક સેમિકન્ડક્ટરમાં,$27^{\circ} \text{C}$ તાપમાને આંતરિક ચાર્જ કેરિયર્સની સંખ્યા ઘનતા $1.5 \times 10^{16} \, \text{m}^{-3}$ છે. જો સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિ પરમાણુઓ ઉમેરવામાં આવે,તો હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \, \text{m}^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $..... \times 10^{9} \, \text{m}^{-3}$ છે.

નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

શુદ્ધ સેમિકન્ડક્ટરમાં અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાની પ્રક્રિયાને શું કહેવામાં આવે છે?

આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં કુલ પ્રવાહનું સૂત્ર લખો.

$N-$ પ્રકાર અને $P-$ પ્રકારના સિલિકોન શુદ્ધ સિલિકોનમાં શેનું ડોપિંગ કરીને મેળવી શકાય છે?