(N/A) $H_2O$ અણુની રચના ઓક્સિજનના $sp^3$ સંકરણ અને $VSEPR$ સિદ્ધાંતની મદદથી સમજાવી શકાય છે.
$H_2O$ માં,ધરા અવસ્થામાં ઓક્સિજનની સંયોજકતા કક્ષાની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $2s^2 2p_x^2 2p_y^1 2p_z^1$ છે,જેમાં બે યુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન અને બે અર્ધ-પૂર્ણ કક્ષકો હોય છે.
આ ચાર કક્ષકો $sp^3$ સંકરણ પામે છે,જેમાં બે કક્ષકો અર્ધ-પૂર્ણ અને બાકીની બે કક્ષકો સંપૂર્ણ ભરાયેલી હોય છે.
બે અર્ધ-પૂર્ણ $sp^3$ કક્ષકો $H$ ની $1s$ કક્ષક સાથે ઓવરલેપ થઈને બે $O-H$ સિગ્મા બંધ બનાવે છે. બે $sp^3$ કક્ષકો અબંધકારક (લોન પેર) હોય છે.
$VSEPR$ સિદ્ધાંત મુજબ,અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો વચ્ચેનું અપાકર્ષણ બંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મો કરતા વધારે હોય છે. આ વધારાના અપાકર્ષણને કારણે,બે $O-H$ બંધ નજીક આવે છે અને બંધકોણ $104.5^{\circ}$ થાય છે. આ રીતે,$H_2O$ નો આકાર $V$ (કોણીય) હોય છે.