આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરની ફર્મી ઉર્જા સ્તર ક્યાં હોય છે?

જો $Cu$ (કોપર) અને $Ge$ (જર્મેનિયમ) ને $70 \ K$ તાપમાને ઠંડા કરવામાં આવે,તો:

આંતરિક (intrinsic) અર્ધવાહક માટે ફર્મી ઉર્જા સ્તર ક્યાં હોય છે?

અર્ધવાહકના કિસ્સામાં,નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો:
$(A)$ $0 \ K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(B)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(C)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(D)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

શું કોપર (તાંબા) માં $n$-પ્રકારની અથવા $p$-પ્રકારની અશુદ્ધિઓ ઉમેરવાનો કોઈ ફાયદો છે?