एक आदर्श डायोड के लिए,निम्नलिखित व्यवस्था में धारा का मान क्या है?

एक फॉरवर्ड-बायस्ड $P-N$ जंक्शन डायोड में,विभव प्राचीर (potential barrier) का व्यवहार कैसा होता है?

एक $p-n$ जंक्शन डायोड में, धारा $I$ को $I=I_{0} \left[\exp \left(\frac{e V}{k_{B} T}\right)-1\right]$ के रूप में व्यक्त किया जा सकता है, जहाँ $I_{0}$ रिवर्स सैचुरेशन धारा है, $V$ डायोड के सिरों पर वोल्टेज है (फॉरवर्ड बायस के लिए धनात्मक और रिवर्स बायस के लिए ऋणात्मक), $I$ डायोड से प्रवाहित धारा है, $k_{B}$ बोल्ट्जमैन नियतांक $(8.6 \times 10^{-5} \; eV/K)$ है और $T$ परम ताप है। यदि किसी दिए गए डायोड के लिए $I_{0}=5 \times 10^{-12} \; A$ और $T=300 \; K$ है, तो:
$(a)$ $0.6 \; V$ के फॉरवर्ड वोल्टेज पर फॉरवर्ड धारा क्या होगी?
$(b)$ यदि डायोड पर वोल्टेज बढ़ाकर $0.7 \; V$ कर दिया जाए तो धारा में कितनी वृद्धि होगी?
$(c)$ डायनेमिक प्रतिरोध क्या है?
$(d)$ यदि रिवर्स बायस वोल्टेज $1 \; V$ से बदलकर $2 \; V$ हो जाए तो धारा क्या होगी?

$X$ और $Y$ बिंदुओं के बीच एक $5 \, V$ की बैटरी जुड़ी है। मान लीजिए कि $D_{1}$ और $D_{2}$ सामान्य सिलिकॉन डायोड हैं। यदि बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $X$ बिंदु से जुड़ा हो,तो बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ($A$ में) ज्ञात कीजिए।

जब एक $p-n$ जंक्शन पर वोल्टेज $V$ लगाया जाता है, तो उससे प्रवाहित धारा $I = I_0 \left( e^{\frac{V}{2 V_T}} - 1 \right)$ द्वारा दी जाती है, जहाँ $I_0$ और $V_T$ स्थिरांक हैं। यदि $r_d(I)$ जंक्शन का डायनेमिक प्रतिरोध है, तो $r_d(1000 I_0) = \alpha r_d(10 I_0)$, जहाँ $\alpha$ लगभग किसके बराबर है?

यह मानते हुए कि जंक्शन डायोड आदर्श है, चित्र में दिखाए गए विन्यास में धारा ज्ञात कीजिए। ($\text{mA}$ में)