नीचे दो कथन दिए गए हैं: एक को अभिकथन $A$ और दूसरे को कारण $R$ के रूप में लेबल किया गया है।
अभिकथन $A$: समीकरण $\Delta_r G = -nFE_{\text{cell}}$ में $\Delta_r G$ का मान $n$ पर निर्भर करता है।
कारण $R$: $E_{\text{cell}}$ एक गहन गुण (intensive property) है और $\Delta_r G$ एक विस्तृत गुण (extensive property) है।
उपरोक्त कथनों के आलोक में,नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें:

  • A
    $A$ गलत है लेकिन $R$ सही है।
  • B
    $A$ और $R$ दोनों सही हैं और $R$,$A$ की सही व्याख्या है।
  • C
    $A$ और $R$ दोनों सही हैं और $R$,$A$ की सही व्याख्या नहीं है।
  • D
    $A$ सही है लेकिन $R$ गलत है।

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$298 \ K$ पर अभिक्रिया $Zn_{(s)} + Sn^{2+}_{(aq)} \rightleftharpoons Zn^{2+}_{(aq)} + Sn_{(s)}$ के लिए साम्य स्थिरांक $1 \times 10^{20}$ है। यदि $E_{Zn^{2+}/Zn}^0 = -0.76 \ V$ है,तो $Sn/Sn^{2+}$ के मानक इलेक्ट्रोड विभव का परिमाण $............ \times 10^{-2} \ V$ है। (निकटतम पूर्णांक)
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गैल्वेनिक सेल में विद्युत प्रवाह के दौरान एनोड विलयन की सांद्रता पर क्या प्रभाव पड़ता है?

$E^{\circ}_{Cu^{2+}|Cu} = +0.34 \ V$
$E^{\circ}_{Zn^{2+}|Zn} = -0.76 \ V$
उपरोक्त सेल के लिए नीचे दिए गए विकल्पों में से गलत कथन की पहचान करें।

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