CH_4 અને SiCl_4 માં હાજર ભૂમિતિ અને ઇલેક્ટ્રો | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) $CH_4$ માં,મધ્યસ્થ કાર્બન પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે અને હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ સાથે $4$ સિગ્મા બંધ બનાવે છે. તેમાં $0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે

Vedclass · Accepted Answer

બંને સમાન ભૂમિતિ ધરાવે છે અને દરેક પર એક પણ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ નથી.

Vedclass · Answer

(C) $CH_4$ માં,મધ્યસ્થ કાર્બન પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે અને હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ સાથે $4$ સિગ્મા બંધ બનાવે છે. તેમાં $0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે અને તે સમચતુષ્ફલકીય (tetrahedral) ભૂમિતિ ધરાવે છે.$SiCl_4$ માં,મધ્યસ્થ સિલિકોન પરમાણુ $sp^3$ સંકરણ ધરાવે છે અને ક્લોરિન પરમાણુઓ સાથે $4$ સિગ્મા બંધ બનાવે છે. તેમાં $0$ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ છે અને તે સમચતુષ્ફલકીય ભૂમિતિ ધરાવે છે.તેથી,બંને અણુઓ સમાન સમચતુષ્ફલકીય ભૂમિતિ ધરાવે છે અને મધ્યસ્થ પરમાણુ પર કોઈ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ નથી.

$CH_4$ અને $SiCl_4$ માં હાજર ભૂમિતિ અને ઇલેક્ટ્રોનની અબંધકારક જોડી (lone pair) અંગેનું સાચું વિધાન ઓળખો.

Similar Questions

$ClF_3$ નું નીચેનામાંથી કયું બંધારણ સૌથી વધુ સ્થાયી છે?

$I^{+}_3$ અને $I^{-}_3$ આણ્વિય આયનો વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

$VSEPR$ સિદ્ધાંત મુજબ,

$SF_4$,$CF_4$ અને $XeF_4$ ના આણ્વિય આકારો કેવા છે?

કયું સંયોજન સૌથી મોટો $H-M-H$ બંધકોણ $(M = N, O, S, C)$ ધરાવે છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module