$HNO_{3}$, $H_{2}SO_{4}$, $NF_{3}$ અને $O_{3}$ માંથી ઇલેક્ટ્રોનની સૌથી વધુ અબંધકારક ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મ (લુઈસ ડોટ સ્ટ્રક્ચરનો ઉપયોગ કરીને મેળવેલ) ધરાવતો અણુ $(X)$ ઓળખો. અણુ $(X)$ ના મધ્યસ્થ પરમાણુ દ્વારા બનાવવામાં આવેલ સાચો બંધકોણ પસંદ કરો. ($^{\circ}$ માં)

  • A
    $120$
  • B
    $107$
  • C
    $102$
  • D
    $116$

Explore More

Similar Questions

નીચે બે વિધાનો આપેલા છે:
વિધાન $I:$ $SO_2$ અને $H_2O$ બંને $V$-આકારનું બંધારણ ધરાવે છે.
વિધાન $II:$ $SO_2$ નો બંધકોણ $H_2O$ ના બંધકોણ કરતા ઓછો છે.
ઉપરના વિધાનોના પ્રકાશમાં,નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સૌથી યોગ્ય જવાબ પસંદ કરો:

$CO_2, SiO_2, SO_2, TeO_2, [NO_2]^{+}$ માંથી આઈસોસ્ટ્રક્ચરલ (સમાન બંધારણ ધરાવતા) અણુઓ કયા છે?

$H_2S, NH_3, BF_3$ અને $SiH_4$ માં બંધકોણનો સાચો ક્રમ (સૌથી નાનો પહેલા) કયો છે?

પાણીના અણુમાં બે બંધ વચ્ચેનો બંધકોણ ............... $^o$ હોય છે?

નીચેનામાંથી કયું યોગ્ય રીતે જોડાયેલું નથી?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo