यदि $n_e$ और $v_d$ एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों की संख्या घनत्व और अनुगमन वेग (drift velocity) हैं,तो तापमान बढ़ाने पर क्या होता है?

अर्धचालक (semiconductor) में होल (hole) की अवधारणा को समझाइए।

$N$-प्रकार के अर्धचालक के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

$300 \text{ K}$ तापमान पर एक शुद्ध सिलिकॉन क्रिस्टल में इलेक्ट्रॉन और होल की सांद्रता $(n_i) = 10^{16} \text{ per m}^3$ है। यदि प्रति घन मीटर $10^{21}$ फास्फोरस परमाणु $(n_D)$ मिलाए जाते हैं, तो सिलिकॉन क्रिस्टल में नई होल सांद्रता क्या होगी?

दाता अशुद्धि के साथ डोप किया गया अर्धचालक होता है

$500 \ K$ तापमान पर एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन संख्या-घनत्व $(n_e)$ और होल संख्या-घनत्व $(n_h)$ समान हैं,जो $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। अब,इसमें इंडियम अशुद्धि मिलाने पर होल घनत्व $(n_h)$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। यह अशुद्धि मिश्रित अर्धचालक है: