જો એક સેમિકન્ડક્ટર ફોટોડાયોડ 400, nm ની મહત્ત | vedclass

Name: Exam Paper Generator | JEE NEET Paper Generator | Vedclass
Brand: Vedclass
Rating: 5 (35 reviews)

Question

(C) સેમિકન્ડક્ટરની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા $E_g$ અને તે શોધી શકે તેવા ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ $\lambda$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે: $E_g = \frac{hc}{\lambda}

Vedclass · Accepted Answer

$3.1$

Vedclass · Answer

(C) સેમિકન્ડક્ટરની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા $E_g$ અને તે શોધી શકે તેવા ફોટોનની મહત્તમ તરંગલંબાઇ $\lambda$ વચ્ચેનો સંબંધ નીચે મુજબ છે: $E_g = \frac{hc}{\lambda}$.આપેલ કિંમતો મૂકતા:$h = 6.63 	imes 10^{-34}\, J \cdot s$$c = 3 	imes 10^{8}\, m/s$$\lambda = 400 	imes 10^{-9}\, m$$E_g = \frac{(6.63 	imes 10^{-34}) 	imes (3 	imes 10^{8})}{400 	imes 10^{-9}}\, J$$E_g = \frac{19.89 	imes 10^{-26}}{4 	imes 10^{-7}}\, J = 4.9725 	imes 10^{-19}\, J$.આ ઉર્જાને ઇલેક્ટ્રોન-વોલ્ટ $(eV)$ માં ફેરવવા માટે, ઇલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભાર $e = 1.6 	imes 10^{-19}\, C$ વડે ભાગતા:$E_g (eV\; 	ext{માં}) = \frac{4.9725 	imes 10^{-19}}{1.6 	imes 10^{-19}} \approx 3.1\; eV$.

Similar Questions

સોલર સેલ બનાવવા માટે યોગ્ય પદાર્થ કયો છે?

Vedclass Test Series

Exam Paper Generator

Online Exam Module