यदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltag | vedclass

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Question

(C) जब एक डायोड को अग्र अभिनत (forward biased) किया जाता है,तो बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-प्रकार के क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-प्रकार के क्षे

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घटती है

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(C) जब एक डायोड को अग्र अभिनत (forward biased) किया जाता है,तो बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-प्रकार के क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-प्रकार के क्षेत्र से जुड़ा होता है।यह बाहरी विद्युत क्षेत्र अवक्षय परत के आंतरिक विद्युत क्षेत्र का विरोध करता है।जैसे-जैसे अग्र वोल्टेज बढ़ता है,विभव प्राचीर (potential barrier) कम हो जाता है और बहुसंख्यक आवेश वाहक जंक्शन की ओर धकेले जाते हैं।इसके परिणामस्वरूप अवक्षय परत की चौड़ाई कम हो जाती है।अतः,सही विकल्प $C$ है।

यदि एक डायोड में अग्र वोल्टेज (forward voltage) को बढ़ाया जाता है,तो अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $\qquad$ .

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